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        模擬技術

        電子發燒友網為用戶提供了專業的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
        肖特基的特點和使用注意事項

        肖特基的特點和使用注意事項

        反向恢復時間短。反向恢復時間是指二極管由流過正向電流的導通狀態切換到不導通狀態需要的時間。由于肖特基半導體導通時只有多數載流子,沒有少數載流子,所以理論上并沒有反向恢復時...

        2023-11-30 標簽:SMA二極管漏電流肖特基二極管額定電流 24

        瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

        瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

        11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,...

        2023-11-30 標簽:MOSFETSiC瞻芯電子驅動電壓 45

        MOSFET柵極電路常見作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?

        MOSFET柵極電路常見的作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對電流的影響? MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種非常重要的電子器件,廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路是MOSF...

        2023-11-29 標簽:MOSFET控制電路電平轉換器 127

        模擬信號的輸入阻抗和反射

        信號鏈上,PGA、TIA或filter的有用信號帶外(一般指高頻信號)的信號往往不是零,如果沒有考慮到帶外信號的影響,在應用中會因為帶外信號“反射”引起帶內信號質量下降。...

        2023-11-29 標簽:反饋電阻器接收機電壓放大器輸入電壓輸入阻抗 142

        晶體管是如何工作的?BJT和MOSFET晶體管區別

        晶體管是如何工作的?BJT和MOSFET晶體管區別

        晶體管的工作原理就像電子開關,它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關,晶體管類似于繼電器,因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然...

        2023-11-29 標簽:MOSFETNPN二極管晶體管柵極電阻 29

        IGBT中的MOS結構—輸入電容(下)

        IGBT中的MOS結構—輸入電容(下)

        上一章我們講到圖片的變化趨勢,可以按照相同的方式進行分析,即 柵極與漏極極之間的電容。...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOS電壓控制等效電路輸入電容 236

        IGBT中的MOS結構—輸入電容(上)

        IGBT中的MOS結構—輸入電容(上)

        MOS是金屬氧化物半導體結構,氧化物是絕緣層,有絕緣層即意味著存在電容。...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOS半導體電容電壓閾值電壓 208

        一個模擬工程師被一個小小電感給摩擦了?

        一個模擬工程師被一個小小電感給摩擦了?

        輸出電壓是信號源內阻和RL的分壓,這也就意味著輸出電壓會隨著頻率的變大而變大。這在原理上是說的通的。那么實際是不是我們分析的這樣呢?于是我們拆除板子上的變壓器重新進行測試,發...

        2023-11-29 標簽:信號發生器變壓器變壓器數據通信電感線圈 185

        模擬工程師:電流鏡還需要關注建立速度?

        模擬工程師:電流鏡還需要關注建立速度?

        耐壓問題解決的分析過程很難用文字以符合邏輯的方式描述清楚,我也就不考驗我的文字技巧了??傊涍^分析,我們找到的“因”是這樣的:認為是OP的P管的偏置電流比尾部電流源的偏置電流...

        2023-11-29 標簽:adcADC信號鏈偏置電流電流源 106

        基于XL4016的輸出過壓保護方案解析

        基于XL4016的輸出過壓保護方案解析

        當輸出電壓低于 VDZ1+0.7V 時,Q1 三極管不導通,Q2 三極管導通,此時 Q3 MOS 管導通使系統正常 輸出;當輸出電壓高于 VDZ1+0.7V 時,Q1 三極管導通,Q2 三極管不導通,此時 Q3 MOS 管不導通使系統輸出...

        2023-11-29 標簽:MOS管三極管元器件過壓保護 115

        與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點?

        與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點?

        其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導致Vbi隨溫度升高而減小,呈現負的溫度系數。...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOSPN結SiC載流子 141

        PN結對IGBT器件的重要性

        PN結對IGBT器件的重要性

        IGBT與功率MOS最大的區別就是背面多了一個pn結,在正向導通時,背面pn結構向N-區注入空穴,使得N-區的電阻率急劇減?。措妼д{制效應)。...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOSPN結漏電流調制器 156

        IGBT器件的靈魂

        IGBT器件的靈魂

        根據施敏教授的拆分理論,器件由4個基本單元組成。...

        2023-11-29 標簽:IGBTPN結半導體 113

        淺析IGBT中的MOS結構—Rds(on)

        淺析IGBT中的MOS結構—Rds(on)

        在推導MOS的IV特性時,我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOS半導體電流電壓 152

        淺談信號delay time和phase shift

        淺談信號delay time和phase shift

        假設信號經過一階低通濾波器(-3dB帶寬為f0),那在所有頻率點,信號的delay是怎樣的?   tao=16ns時,我用matlab plot了一下幅度、相位和time delay,其中time delay=phase/w (其中w為角頻率,phase量...

        2023-11-29 標簽:低通濾波器信號濾波器諧波 115

        IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關系

        IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關系

        分析完閾值電壓的機制后,下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關系。...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOS閾值電壓飽和電流 174

        IGBT中的MOS結構—閾值電壓(下)

        IGBT中的MOS結構—閾值電壓(下)

        上一節我們討論了柵極與半導體材料之間的功函數差,本節我們討論絕緣層電荷的影響。...

        2023-11-29 標簽:IGBT半導體多晶硅電容電壓閾值電壓 134

        熱電偶和熱電阻,你真的能區分嗎?

        熱電偶和熱電阻,你真的能區分嗎?

        不外乎短路和斷路。用萬用表可判斷,在運行中,懷疑短路,只要將電阻端拆下一個線頭,看顯示儀表,如到最大,熱電阻短路?;亓?,導線短路。保證正常連接和配置時,表值顯示低或不穩,...

        2023-11-29 標簽:萬用表測溫儀表溫度檢測器熱電偶熱電阻 22

        IGBT中的MOS結構—閾值電壓(上)

        IGBT中的MOS結構—閾值電壓(上)

        MOS之所以能夠以電壓控制,并起到開關的作用,正是由于上述反型層的機制...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOS多晶硅電壓控制閾值電壓 149

        IGBT中的MOS結構—反型層論述

        IGBT中的MOS結構—反型層論述

        在“IGBT中的若干PN結”一章中我們提到,IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)所構成...

        2023-11-29 標簽:IGBTMOSMOSFET寄生二極管晶體管 133

        IGBT中的若干PN結—PNPN結構介紹

        IGBT中的若干PN結—PNPN結構介紹

        在前文的PNP結構中,我們描述了一種現象,如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態,那么就會發生失控,產生latch-up現象。...

        2023-11-29 標簽:BJTIGBT基極電流晶閘管飽和電流 195

        簡單分析MINI-LVDS 技術

        簡單分析MINI-LVDS 技術

        MINI-LVDS 技術是在低壓差分信號傳輸技術的基礎上開發的,進一步優化了用低壓差分信號、采用發送時鐘的雙邊沿高速差動傳輸數據的特點。除此之外,MINILVDS技術還可以根據顯示器的分辨率分配...

        2023-11-29 標簽:lvds信號傳輸差分信號時鐘信號顯示器 168

        模擬技術入門之零極點分析(2)

        模擬技術入門之零極點分析(2)

         由于傅里葉變換的局限性,要保證f(t)收斂,因此對于非收斂的函數,添加一個衰減因子e-σt,使函數在t→∞時,f(t)→0。然后再進行傅里葉變換。...

        2023-11-29 標簽:傅里葉變換函數模擬信號模擬技術 33

        模擬技術入門之零極點分析(1)

        模擬技術入門之零極點分析(1)

        系統的零極點的物理含義:   零點:當系統輸入幅度不為零且輸入頻率使系統輸出為零時,此輸入頻率值即為零點;   極點:當系統輸入幅度不為零且輸入頻率使系統輸出為無窮大時,...

        2023-11-29 標簽:函數模擬信號模擬技術 28

        碳化硅功率半導體在新能源汽車的應用機遇

        碳化硅功率半導體在新能源汽車的應用機遇

        電動化成為汽車產業發展的潮流和趨勢,對高速充電的需求持續提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導體材料將逐步替代硅基器件成...

        2023-11-29 標簽:SiC半導體材料新能源汽車碳化硅驅動系統 59

        淺析現代半導體產業中常用的半導體材料

        淺析現代半導體產業中常用的半導體材料

        半導體材料是半導體產業的核心,它是制造電子和計算機芯片的基礎。半導體材料的種類繁多,不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現代半導體產業中常用的半導體材料。 一、硅(...

        2023-11-29 標簽:MOSFET半導體材料氮化鎵碳化硅集成電路 37

        什么是碳化硅SiC?碳化硅的特性分析

        近年來,使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。這是因為,為了應對全球共通的“節能化”和“小型化”...

        2023-11-29 標簽:SiC功率元件半導體材料導通電阻碳化硅 20

        RFTOP推出高性能1.0mm系列波導同軸轉換器

        近年來,隨著5G/6G、AR、VR、AI、汽車雷達、星地通信等研發和應用的投資不斷增加,毫米波頻率正發揮至關重要的作用,工作于V波段(50-75GHz)、E波段(60-90GHz)和W波段(75-110GHz)的應用正快速增...

        2023-11-29 標簽:同軸轉換器無線通信毫米波汽車雷達轉換器 144

        IGBT中的若干PN結—PNP結構(2)

        IGBT中的若干PN結—PNP結構(2)

        IGBT中存在如圖所示的兩個寄生BJT,BJT_1為NPN型,BJT_2為PNP型,我們來看看這兩個寄生BJT的電流增益有多大。...

        2023-11-28 標簽:BJTIGBTPNP管漏電流載流子 321

        IGBT中的若干PN結—PNP結構(1)

        IGBT中的若干PN結—PNP結構(1)

        我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)所構成...

        2023-11-28 標簽:IGBTMOSFETPN結場效應管晶體管 309

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